Проведение комплексных исследований физическо-химических и структурных свойств образцов выращенных из расплава монокристаллов полупроводниковых материалов

Проведение комплексных исследований физическо-химических и структурных свойств образцов выращенных из расплава монокристаллов полупроводниковых материалов: элементарных полупроводников Si и Ge, полупроводниковых соединений АIIIBV (арсенида галлия и индия), кристаллов различных оксидных соединений и др., а также эпитаксиальных слоев Si и Ge твердых растворов на их основе, соединений АIIIBV, тройных и четверных твердых растворов на их основе:

• Измерение удельного электросопротивления полупроводниковых материалов - до 10 000 Ом·см.
• Определение типа проводимости полупроводников.
• Измерение концентрации и подвижности носителей заряда методом Холла.
• Измерение спектральных зависимостей фотопроводимости в полупроводниковых структурах в диапазоне волновых чисел 10-5000 см-1.
• Измерение концентрации основных носителей тока и удельного сопротивления методом эффекта Холла в интервале температур 300-4 К.
• Измерения параметра кристаллической решетки с точностью ± 5·10-4 Å.
• Измерение углов разориентации поверхности монокристаллических пластин (стандартных образцов) относительно кристаллографических плоскостей (hkl).
• Топографический контроль дефектов в объеме и на поверхности монокристаллов (секционная топография, топография на прохождение и отражение рентгеновских лучей).
• Определение рассогласования параметров решетки эпитаксиального слоя и подложки с точностью ±1.105 Å путем снятия кривых дифракционного отражения.
• Определение плотности дислокаций в монокристаллах и эпитаксиальных слоев оптической микроскопией в сочетании с избирательным химическим травлением.
• Определение распределения дислокаций по толщине эпитаксиального слоя на косом шлифе, изготовленным химическим травлением.