Лабораторные испытания и анализ неорганических веществ и материалов
Проведение комплексных исследований физическо-химических и структурных свойств образцов кристаллов кремния
Все продукты компании "Гиредмет"
Все услуги группы "Лабораторные испытания и анализ неорганических веществ и материалов"
редкие металлы полупроводник материаловедение аналитическая лаборатория электролаборатория лаборатория измерения испытательная лаборатория
- Измерение удельного электросопротивления полупроводниковых материалов - до 10 000 Ом·см
- Измерение времени жизни носителей заряда в кремнии методом спада фотопроводимости - до 1000 мкс при удельном электросопротивлении не менее 0.5 Ом·см
- Определение типа проводимости полупроводников
- Измерение концентрации и подвижности носителей заряда методом Холла
- Определение типа и концентрации мелких примесных центров в кремнии методом низкотемпературной фотолюминесценции - примеси B, P, As, Al, Ga, концентрация >1011 см-3 при степени компенсации > 10-2
- Определение параметров и локального распределения глубоких центров в полупроводниках методами релаксационной спектроскопии и катодолюминесценции
- Измерение спектральных зависимостей фотопроводимости в полупроводниковых структурах в диапазоне волновых чисел 10-5000 см-1
- Измерение микронеоднородности распределения удельного сопротивления и концентрации свободных носителей заряда в монокристаллах Ge и Si методом сопротивления растекания согласно стандарту ASTM F672.
- Исследование профилей легирования кремниевых многослойных приборных структур методом сопротивления растекания по косому шлифу.
- Измерение концентрации основных носителей тока и удельного сопротивления кремния методом эффекта Холла в интервале температур 300-4 К.
- Измерения параметра кристаллической решетки с точностью ± 5·10-4 Å.
- Измерение углов разориентации поверхности монокристаллических пластин (стандартных образцов) относительно кристаллографических плоскостей (hkl).
- Топографический контроль дефектов в объеме и на поверхности монокристаллов (секционная топография, топография на прохождение и отражение рентгеновских лучей).
- Определение параметров нарушенных слоёв в пластинах Si и других полупроводниковых материалов с помощью рентгенодифрактометрических методов исследования при механической обработке.
Смотрите также
 | СевЗапЭлектро, Санкт-Петербург Проверка работы устройств защитного отключения (УЗО) |
АО ЭАЗ, Санкт-Петербург Электротехническая лаборатория | |
 | ЗАО «ЗЭТО», Великие луки Испытательный центр высоковольтного оборудования |
 | Ик Гефест, екатеринбург Электроизмерения |