Установка для испытания микросхем на безотказность

Установка предназначена для одновременного испытания 80 штук микросхем 590 серии на безотказность при воздействии на микросхемы электрических нагрузок и тепловых режимов с обеспечением контроля и индикации рабочих и аварийных состояний. Установка состоит из стойки управления и камеры для испытуемых микросхем. Условия эксплуатации установки в помещении:

• - с температурой окружающего воздуха в пределах от +15°C до +40°С;
• - относительной влажности в пределах от 70% при +25°С;
• - при атмосферном давлении от 90 до 110 кПа.

Распределение температуры в зоне расположения испытуемых микросхем от 85°С до 150°С:

• - отклонение температуры ±3°C при температуре от 75°С до 85°С;
• - отклонение температуры ±5°C при температуре от 125°С до 150°С.

Устройство защиты и сигнализации обеспечивает срабатывание световой сигнализации и отключение нагревателя, генератора и источников питания при превышении:

• - выходного тока +20% Iном. генератора по каждому каналу (защита фиксированная);
• - выходного напряжения логической единицы не более 10%;
• - выходного напряжения логического нуля не более 10%;
• - установленной температкры в зоне испытания микросхем на 3°С ... 5°С.

Стойка управления

В состав стойки управления входят:

• - 4 блока питания;
• - блок управления с терморегулятором (ТЕРМОДАТ 12К5);
• - генератор прямоугольных импульсов;
• - блок измерения тока нагрузок.

Технические данные.
- Питание установки - от однофазной сети   (при частоте 50 Гц), В		220 ±10%
- Мощность потребления не более, КВт		1,5
- Регулировка выходного напряжения		ручная
- Ток нагрузки максимальный при Uвых=1,2В...10В, А		3
- Ток нагрузки максимальный при Uвых=10В...25В, А		2
- Максимальная мощность в нагрузке, Вт, не более		50
- Коэффициент пульсаций в пределах регулировки   напряжения, % не более		0,5
- Нестабильность Uвых. при изменении напряжения   входного на +/- 10% (Iн=3А), % не более		0,1
- Нестабильность Uвых. при изменении тока нагрузки   от 0А до 3А, % не более		0,1
- Наработка на отказпри доверительной вероятности  0,95 не менее, час		1000
- Температура перегрева силовых транзисторов  не выше, °С		+70
Габаритные размеры и вес.
- Габаритные размеры не более, мм  (ширина, длина, высота)		590*667*1800
- Вес не более, кг		70
Технические характеристики и конструкция установки для испытания микросхем на безотказность, могут быть изменены в соответствии с техническими требования заказчика.