Твердотельные электронные СВЧ-приборы

Монолитные и гибридно-монолитные интегральные СВЧ-системы
	Δf, ГГц	Кш, дБ	Ку, дБ	Рвых, мВт	МИС	ГМИС	Типы
Усилители	1…18	2…4	10…20	50…1500			40
Преобразователи и смесители	1…15	10	0	15			7
Умножители и делители	1…18	-	0	20…80			8
Генераторы	4,5…12	-	-	25…120			19
СВЧ — транзисторы
Малошумящие транзисторы	1…40	1…3	6…10	5			2
Мощные транзисторы	1…14	-	7…12	1000…2000			9

В настоящее время на НПП «Исток» используются технологии изготовления:

• гибридно-монолитных интегральных схем (ГМИС) на пластинах монокристаллического сапфира;
• малошумящих и мощных транзисторов с длиной затвора 0,2 мкм;
• металлизированных отверстий в арсениде галлия;
• «воздушных мостов» для межпересечений;
• тонкопленочных резисторов, конденсаторов и индуктивностей для пассивной части МИС СВЧ.

Для достижения паритета в развитии отечественной технологии монолитных интегральных схем СВЧ разрабатываются:

• технология изготовления Т- образного затвора длиной 0,1 мкм;
• технология изготовления гетероструктур с высокой подвижностью электронов.

На НПП «Исток» построена первая в России пилотная линия по разработке и производству транзисторов и МИС СВЧ с размерной обработкой 0,1 мкм и объёмом выпуска 1 млн кристаллов в год. Создание этой линии решило задачу производства современных транзисторов типа НFЕТ, PНЕМТ и МИС СВЧ на их основе в диапазоне 1…40 ГГц, что позволит удовлетворить самые высокие требования техники мирового уровня и обеспечить транзисторами и МИС СВЧ всех заинтересованных заказчиков.
Основные МИС СВЧ, выпускаемые предприятием

Фазовращатель 4,3×2,2 мм	Переключатель 1,9×1,4 мм	Аттенюатор 2,4×1,5 мм	ЗУ 1,1×0,8 мм	СУ 1,26×1,1 мм	МШУ 2,1×11 мм	УМ 2,75×1,5 мм