Радиационно-стойкое статическое ОЗУ 1657РУ1У

Микросхема 1657РУ1У представляет собой статическое асинхронное КМОП ОЗУ (SRAM) емкостью 4 Мбит с организацией 512Кх8, стойкое к воздействию специальных факторов и предназначенное для использования в большинстве радиационно-стойких приложений.
Функциональными аналогами 1657РУ1У являются микросхемы UT8R512K8 (Aeroflex), AT60142E (Atmel), HX6408 (Honeywell) и AS5C512K8 (Austin Semiconductor). С целью обеспечения качественного экстраполирования жизнеспособности устройства в радиационной среде, испытания микросхемы 1657РУ1У проведены на моделирующих установках.
На воздействие отдельных тяжелых заряженных частиц испытания микросхемы проводились на базе изохронного циклотрона У-400М (ОИЯИ, г. Дубна Московской области).
Облучение микросхемы проводилось стандартным набором ионов: Kr, Xe, Ar, Ne при нормальной температуре корпуса, ионами Xe при температуре 65 °C и впервые в истории отечественных испытаний ионами Bi при температуре 100 °C. СОЗУ 1657РУ1У является первой отечественной микросхемой, прошедшей испытания по оценке воздействия на работоспособность изделия вторичного излучения, вызванного нейтронными потоками, что является особенно актуальным для авиационной электроники.

• Технология изготовления: 0,25-мкм КМОП процесс на базе радиационно-стойкой библиотеки АО НПЦ «ЭЛВИС».
• Тип памяти: статическая, асинхронная.
• Организация памяти 512Кx8.
• Время выборки адреса:
  • типовое 25 нс;
  • во время и непосредственно после ВВФ и радиационного воздействия не более 40 нс.
• Типовая потребляемая мощность: 80 мВт.
• Напряжение питания: ядро 2,5 В ±5%, периферия 3,3 В ±5%.
• Диапазон рабочих температур: от -60 °C до +125 °С.
• Корпус металлокерамический LCC-44; 16,5×16,5×3,15 мм.
• Показатель герметичности 6,65∙10^-3 Па∙см³/с.
• Масса микросхемы не более 3 г.
• Микросхема устойчива к воздействию статического электричества с потенциалом не менее 1000 В.

Характеристики радиационной стойкости

Параметр	Значение
Суммарная накопленная доза, TID	330 крад, КТЗ 500 крад
Стойкость к воздействиям ТЗЧ по эффекту отказов SEL (тиристорных эффектов): Пороговое значение ЛПЭ при Токр.=100 °С	>99,7 МэВ∙см2/мг [Si] при угле падения 0° >140 МэВ∙см2/мг [Si] при угле падения 45°
Стойкость к воздействиям ТЗЧ по эффекту одиночных сбоев SEU: Пороговое значение ЛПЭ Сечение насыщения при ЛПЭ=6 МэВ∙см2/мг [Si] ÷ 69 МэВ∙см2/мг [Si] для углов падения 0°, 30°, 45°	3,9 МэВ∙см2/мг [Si] 1,2Е-08 см2/бит ÷ 5,4Е-08 см2/бит
Стойкость к воздействию протонов: Пороговая энергия эффекта SEU Сечение насыщения эффекта SEU	12 МэВ 3,5Е-14 см2/бит
Стойкость к воздействию нейтронов с энергией 14,7 МэВ: Эффект SEL Сечение насыщения эффекта SEU	Отсутствует <1,1E-14 см2/бит
Характеристики радиационной стойкости	7.И1, 7. И7	2*4Ус
	7.И6,	2*4Ус ВПР не более 0,4 мс
	7.И8	УБР 0,0014*4Ус
	7.С1, 7. С4	4Ус

Название документа	Дата	Размер	Скачать
Микросхема интегральная 1657РУ1У. Краткая информация	13.02.2017	300 Кб	1657RU1U_brief (pdf, 1 МБ)
Микросхема интегральная 1657РУ1У. Техническое описание	06.03.2013	1 Mб	manual_ram_1657ru1u_060313 (pdf, 2 МБ)
Микросхема интегральная 1657РУ1У. Габаритный чертеж	19.02.2013	53 Кб	1657ru1u_outline (pdf, 1 МБ)
Микросхема интегральная 1657РУ1У. Библиотечный элемент Altium Designer	30.04.2014	227 Кб
Вся документация