Радиационно-стойкое ОЗУ 1657РУ2У (предварительно)

Микросхема 1657РУ2У представляет собой статическое асинхронное КМОП ОЗУ (SRAM) емкостью 16 Мбит с конфигурируемой организацией 1024Кx16 или 2048Кx8, стойкое к воздействию специальных факторов и предназначенное для использования в большинстве радиационно-стойких приложений.
Функциональной особенностью микросхемы является использование кода Хэмминга для обнаружения и исправления ошибок в каждом из байтов 16-разрядного слова.
Качественное экстраполирование жизнеспособности устройства в радиационной среде обеспечивается испытаниями микросхемы 1657РУ2У на моделирующих установках, в том числе испытаниями на воздействие отдельных тяжелых заряженных частиц на базе изохронного циклотрона У-400М (ОИЯИ, г. Дубна Московской области).
Функциональными аналогами 1657РУ2У являются микросхемы UT8ER512K32, UT8Q512K32, UT8CR512K32 (Cobham/Aeroflex), AT68166 °F (Atmel).

• Технология изготовления: 130 нм КМОП процесс на базе радиационно-стойкой библиотеки АО НПЦ «ЭЛВИС»;
• Тип памяти: статическая, асинхронная;
• Организация памяти 1024Кx16, 2048Кx8;
• Время выборки адреса (включая время на исправление одиночных ошибок):
  • типовое 20 нс;
• Напряжение питания: 1,2 В и 3,3 В;
• Температурный диапазон: от -60 °C до +125 °С.
• Потребляемая мощность:
  • типовая:
    • в режиме хранения: 6…12 мВт;
    • динамическая: 143…155 мВт;
  • максимальная:
    • в режиме хранения: 151 мВт;
    • динамическая: 390 мВт;
• Рабочее пониженное атмосферное давление 10^-6 мм рт.ст.;
• Показатель герметичности 6,65∙10^-3 Па∙см³/с;
• Корпус металлокерамический LCC-68; 24,15×24,15 мм;
• Микросхема устойчива к воздействию статического электричества с потенциалом не менее 2000 В.

Характеристики радиационной стойкости

Параметр	Значение
Суммарная накопленная доза, TID	не менее 300 крад
Стойкость к воздействиям ТЗЧ по эффекту отказов SEL (тиристорных эффектов): Пороговое значение ЛПЭ при Токр.=65 °С	>60 МэВ∙см2/мг [Si] при угле падения 0°
Стойкость к воздействиям ТЗЧ по эффекту одиночных сбоев SEU: Пороговое значение ЛПЭ Сечение насыщения	не менее 3,0 МэВ∙см2/мг [Si] по результатам испытаний
Стойкость к воздействию протонов: Пороговая энергия эффекта SEU Сечение насыщения эффекта SEU	не менее 12 МэВ по результатам испытаний
Стойкость к воздействию нейтронов с энергией 14,7 МэВ	по результатам испытаний
Характеристики радиационной стойкости	7.И1, 7. И7	4Ус
	7.И6,	4Ус ВПР не более 2 мс
	7.И8	по результатам испытаний
	7.С1, 7. С4	4Ус

Название документа	Дата	Размер	Скачать
Микросхема интегральная 1657РУ2У. Краткая информация	04.09.2019	507 Кб	Brief_1657RU2U_RAM_Rus (pdf, 1 МБ)
Вся документация