ИННИ — эффективная площадка для продвижения продукции и услуг российских производителей
Создайте страницуПрецизионные резисторы
резисторы прецизионные резисторы микроэлектроника оборудование электронное радиодетали компоненты электронные радиотехника и электроника
Группа по ТКС | Номинальная мощность рассеяния, Вт | Пределы номинальных сопротивлений | ТКСx10-6 1/?С, в интервале температур от минус 60 до 155 |
А | 0,062 — 0,125 | 10 Ом — 100 кОм | ±25 |
0,25 — 0,5 | 51,1 Ом — 1 МОм | ||
Б | 0,062 — 0,5 | 10 Ом — 1 МОм | ±50 |
В | ±100 |
Вид резистора | Номинальная мощность рассеяния, Вт | Пределы номинальных сопротивлений (по ряду Е192) | Предельное рабочее напряжение, В |
C2−29В — 0,062 АИ | 0,062 | 10 Ом — 1 МОм | 200 |
250 | |||
C2−29В — 0,125 АИ | 0,125 | ||
350 | |||
C2−29В — 0,25 АИ | 0,25 | ||
500 | |||
C2−29В — 0,5 АИ | 0,5 |
Характеристики | Ед. изм. | Значение |
Изменение сопротивления в течение 2000 ч при номинальной электрической нагрузке | % | Не более величины маркированного допуска для резисторов с допускаемым отклонением ±0,1%; ±0,25% и не более 1% для резисторов с допускаемым отклонением ±0,5%; ±1.0%. |
Допускаемое отклонение от номинального сопротивления | % | ±0,1; ±0,25; ±0,5; ±1,0 |
Диапазон рабочих температур | °С | от минус 60 до +155 |
Минимальная наработка | час | 20000 |
Уровень шумов | мкВ/В | 1,0; 5,0 |
Срок сохраняемости | лет | 20 |
Температура перегрева | °С | не более 70? С |
Вид резистора | Габаритные размеры и допустимые отклонения, мм | Масса, г, не более | |||
L | D | l | d | ||
C2−29В — 0,062 АИ | 3,3 ±0,2 | 1,8 ±0,2 | 25 +5 | 0,5 ±0,06 | 0,15 |
C2−29В — 0,125 АИ | 6,0 ±0,6 | 2,2 ±0,3 | 0,6 ±0,1 | 0,22 | |
C2−29В — 0,25 АИ | 9,0 ±0,6 | 3,2 ±0,5 | 1,0 | ||
C2−29В — 0,5 АИ | 11,5 ±1,0 | 4,5 ±0,5 | 32 +5 | 0,8 ±0,1 | 1,5 |
Смотрите также
Нпц Элвис, Москва Четырехканальный цифровой SDR-приемник 1288ХК1Т | |
Нпц Элвис, Москва Радиационно-стойкая микросхема ФАПЧ 1288ПЛ1У | |
Нпо Эркон, Нижний Новгород Р1-8 Чип-резисторы постоянные непроволочные | |
Нпо Эркон, Нижний Новгород Р1-33 Чип-резисторы высокоомные |