Полупроводниковый излучатель ИЛПИ-137А

Излучатель лазера полупроводникового ИЛПИ-137А импульсного режима работы включает решетку AlGaAs/GaAs лазерных диодов, изготовленных по технологии MOCVD, корпус и крышку со стеклянным окном. Прибор предназначен для использования в качестве источника излучения в осветителях, дальномерах и медицинских приборах.

Технические характеристики (при Т=25 °C и площади радиатора 100 см2)

Параметры	мин	тип	макс
Средняя мощность импульса излучения, Вт		500	600
Длина волны излучения, нм	840	860	880
Амплитуда импульса тока накачки, А	65		85
Длительность импульса тока накачки (по уровню 0,5), нс	70	100	120
Рабочее напряжение на излучателе, В			95
Частота повторения импульсов, Гц		5000	10000
Габариты тела свечения, мм * мм			1,3 * 1,4
Расходимость излучения в плоскости, градусов:параллельной плоскости p-n-переходаперпендикулярной плоскости p-n-перехода		1230
Ширина спектра по уровню 0.5, нм		5

Справочные параметры

• мощность измеряется в полном угле (конус с углом при вершине не менее 74°);
• температурный дрейф длины волны излучения - не более 0.3 нм/°C;
• рабочая температура корпуса – минус 50 °C...+50 °C;
• минимальная наработка - 109 импульсов;
• конкретное значение тока накачки указывается в паспорте или этикетке.

Типовая ватт-амперная характеристика излучателяИзображение тела свечения решётки лазерных диодов излучателяГабаритные размеры и электрическая схема