Полупроводниковый излучатель ИЛПИ-135А

Излучатель лазера полупроводникового ИЛПИ-135А импульсного режима работы включает решетку AlGaAs/GaAs лазерных диодов, изготовленных по технологии MOCVD, корпус и крышку со стеклянным окном. Прибор предназначен для использования в качестве источника излучения в осветителях, дальномерах и медицинских приборах.

Технические характеристики (при Т=25 °C и площади радиатора 100 см2)

Параметры	мин	тип	макс
Средняя мощность импульса излучения, Вт		120	140
Длина волны излучения, нм	840	850	870
Амплитуда импульса тока накачки, А		40	50
Длительность импульса тока накачки (по уровню 0,5), нс	40	100	150
Рабочее напряжение на излучателе, В			60
Частота повторения импульсов, Гц		10 000	20 000
Габариты тела свечения, мм * мм			0,36 * 0,5
Расходимость излучения в плоскости, градусов:параллельной плоскости p-n-переходаперпендикулярной плоскости p-n-перехода		1025
Ширина спектра по уровню 0.5, нм		3
Несоосность тела свечения и корпуса, мм			0,5

Справочные параметры

• мощность измеряется в полном угле (конус с углом при вершине не менее 74°);
• температурный дрейф длины волны излучения - не более 0.3 нм/°C;
• рабочая температура корпуса – минус 55 °C...+70 °C;
• минимальная наработка - 109 импульсов;
• конкретное значение тока накачки указывается в паспорте или этикетке.

Расходимость излучения в плоскости перпендикулярной плоскости P-N переходаТиповая ватт-амперная характеристика излучателяГабаритные размеры и электрическая схема