Эпитаксиальные слои InGaAsSb/GaSb

Параметры эпитаксиальных структур InGaAsSb/GaSb для фотоприемников на спектральный диапазон 1,6÷2,4 мкм Возможный объем производства: до 500 см2/год.Возможная сфера применения: производство фотоприемников на спектральный на спектральный диапазон 1,6÷2,4 мкм, работающих при комнатной температуре.

Тип структуры	nGaSb (подложка),nIn0,24Ga0,76As0,21Sb0,79pIn0,24Ga0,76As0,21Sb0,79 (I)pGaSb (II)
Параметры подложки:
плоскость ориентации	±10'
концентрация носителей заряда, см-3	(0,5÷1)·1018
толщина подложки в эпитаксиальной структуре, мкм	500±20
Параметры эпитаксиального слоя (I):
тип проводимости	n
толщина области, мкм	2÷3
тип проводимости	p
толщина области, мкм	0,5÷1,0