Эпитаксиальные слои CdHgTe

Параметры эпитаксиальных структур CdxHg1-xTe n и p-типа проводимости (опытно-промышленное производство)

размеры рабочей поверхности, мм2	ø30, 20×20
размеры рабочей поверхности, мм2	ø37, 20×30
толщина слоя, мкм	15±5
состав, мол. доля CdTe, x	x=0,208÷0,230x=0,207÷0,300
однородность состава по площади, мол. доля CdTe, Δx	±0,002
тип электропроводности	n, p
концентрация основных носителей заряда при 77К, см-3	n=(1,0÷5,0)·1014p=(0,5÷3,0)·1016
подвижность основных носителей заряда при 77К, см2/В·с	µn≥1,0·105µp≥300
время релаксации фотопроводимости (77К), с	≥3·10-7(n-тип)≥3·10-8(p-тип)
плотность дислокаций, см-2
малоугловые границы, включения второй фазы	нет

Возможный объем производства: до 1000 см2/год.Возможная сфера применения: производство фотоприемников на спектральный диапазон 3-5 и 8-12 мкм.Потребители продукции: ОАО "МЗ "Сапфир", ФГУП "НПО "Орион", ФГУП "НПО "Альфа".