Арсенид галлия (GaAs)

Монокристаллы арсенида галлия предназначены для использования в производстве дискретных приборов и интегральных схем СВЧ-диапазона, дискретных и матричных фотоприемников, светодиодов, фотокатодов, преобразователей солнечной энергии, детекторов ионизирующих излучений, оптических изделий для ввода-вывода, фокусировки и модуляции ИК-излучения и др. Возможна поставка монокристаллов с параметрами, отличающимися от указанных в таблице.

Метод выращивания		Метод Чохральского с жидкостной герметизацией расплава (LEC)
Кристаллогра-фическая ориентация оси слитка		(100), (111), (110), (211), (310)
Номинал диаметра слитка, мм		50,8; 76,2
Материал		полуизолирующий	полупроводящий
легирующаяпримесь		нелегированный	Si или Те	Zn
тип проводимости		n	n	p
концентрация носителей заряда, см-3		-	1×1017-3×1018	1х1017-3×1019
удельное сопротивление, Ом·см		>1×107	-	-
подвижность,см2/В·с		>5000	4200-1200	170-40
плотность дисло-каций, см-2	Ø 50.8 ммØ 76.2 мм