Эпитаксиальные структуры
Эпитаксиальные структуры в системе в системе Al(Ga,In)N
эпитаксиальные структуры полупроводниковые пластины полупроводник полупроводниковые материалы высокие технологии радиотехника и электроника
на подложках сапфира и полуизолирующего карбида кремния диаметром 50,8 и 76 мм следующих типов:
- DH-FET (Технические условия СВБШ.6365-001-74774711-2010 ТУ)
- QW-FET (Разработка в стадии завершения: СВБШ.6365-74774711-2011 ТУ, Проект ТУ)
Смотрите также
 | НИИ ПОЛЮС, Москва Акустооптический затвор MZ-321М |
 | НИИ ПОЛЮС, Москва Трехосный лазерный гироскоп МТ-401МЭ |
 | Светлана-Рост, Санкт-Петербург Фаундри пластины с кристаллами заказанных элементов |
 | Мцст, Москва Вычислительный модуль «MBE1C-PC» (ТВГИ.469555.331) |