Эпитаксиальные структуры
Эпитаксиальные структуры в системе Ga(Al,In)As
эпитаксиальные структуры полупроводниковые пластины полупроводник полупроводниковые материалы высокие технологии радиотехника и электроника
на подложках GaAs диаметром 50,8, 76 и 100 мм следующих типов:
- MESFET (Технические условия СВБШ.6341-001-74774711-2008 ТУ)
- pHEMT (Технические условия СВБШ.6365-003-74774711-2010 ТУ)
- mHEMT (Разработка в стадии завершения)
- фотоприемники в системе AlGaAs/GaAs (Разработка в стадии завершения)
Смотрите также
 | НИИ ПОЛЮС, Москва Акустооптический затвор MZ-321М |
 | НИИ ПОЛЮС, Москва Трехосный лазерный гироскоп МТ-401МЭ |
 | Светлана-Рост, Санкт-Петербург Фаундри пластины с кристаллами заказанных элементов |
 | Мцст, Москва Вычислительный модуль «MBE1C-PC» (ТВГИ.469555.331) |