Отечественные чип-резисторы
Отечественные чип-резисторы, соответствующие требованиям экологических директив по ограничению содержания вредных веществ (директивы RoHS или ее аналогов), стандарта AEC-Q200, обладающих стойкостью к статическому разряду, импульсным нагрузкам.Представлены чип-резисторы Р1−8 В с параметрами надежности и стабильности, соответствующие стандартам AEC-Q200 и экологической безопасности.
АО «НПО «ЭРКОН» представляет новый тип резисторов Р1−8 В, которые соответствуют требованиям экологических директив по ограничению содержания вредных веществ (директивы RoHS или ее аналогов), стандарту AEC-Q200, обладают стойкостью к статическому разряду, импульсным нагрузкам, а также с защитой от серных соединений. Указанные параметры достигаются за счет применения современных материалов, бессвинцовых, полимерных паст, оптимизированной подгонки и топологии чип-резистов.
Чип-резисторы относятся к категории пассивных компонентов и на них, соответственно, распространяется стандарт AEC-Q200. Данный стандарт устанавливает методы испытаний пассивных изделий электронной техники на воздействие механических и климатических внешних воздействующих факторов, а также методы оценки соответствия конструктивным требованиям.
Разработаны следующие типы:
1. Р1−8В — …С — чип-резисторы постоянные непроволочные общего применения бессвинцовые, стойкие к воздействию статического разряда.
2. Р1−8В — …И — чип-резисторы постоянные непроволочные общего применения бессвинцовые, стойкие к воздействию импульсов.
3. Р1−8В — …А — чип-резисторы постоянные непроволочные общего применения бессвинцовые.
Электрические параметры резисторов представлены в таблицах 1−3.
Таблица 1 — Значения номинальной мощности рассеяния, диапазона значений номинального сопротивления, допускаемого отклонения, максимального рабочего напряжения
Типоразмер | Номинальная мощность рассеяния Pном, Вт | Диапазон значений номинального сопротивления*, Ом | Допускаемое отклонение сопротивления от номинального значения, ±% | Предельное рабочее напряжение, В |
0402 | 0,063 | От 1 до 10 вкл. Св. 10 до 1×106 вкл. Св. 1×106 до 1×107 вкл. | 2; 5; 10; 20 1; 2; 5; 10; 20 2; 5; 10; 20 | 50 |
0603 | 0,1 | От 1 до 10 вкл. Св. 10 до 1×106 вкл. Св. 1×106 до 1×107 вкл. | 2; 5; 10; 20 1; 2; 5; 10; 20 2; 5; 10; 20 | 75 |
0805 | 0,125 | От 1 до 10 вкл. Св. 10 до 1×106 вкл. Св. 1×106 до 1×107 вкл. | 2; 5; 10; 20 0,5; 1; 2; 5; 10; 20 2; 5; 10; 20 | 150 |
1206 | 0,25 | От 1 до 10 вкл. Св. 10 до 1×106 вкл. Св. 1×106 до 1×107 вкл. | 2; 5; 10; 20 0,5; 1; 2; 5; 10; 20 2; 5; 10; 20 | 200 |
1210 | 0,33 | От 1 до 10 вкл. Св. 10 до 1×106 вкл. Св. 1×106 до 1×107 вкл. | 2; 5; 10; 20 0,5; 1; 2; 5; 10; 20 2; 5; 10; 20 | 200 |
2010 | 0,5 | От 1 до 10 вкл. Св. 10 до 1×106 вкл. Св. 1×106 до 1×107 вкл. | 2; 5; 10; 20 0,5; 1; 2; 5; 10; 20 2; 5; 10; 20 | 250 |
2512 | 1 | От 1 до 10 вкл. Св. 10 до 1×106 вкл. Св. 1×106 до 1×107 вкл. | 2; 5; 10; 20 0,5; 1; 2; 5; 10; 20 2; 5; 10; 20 | 300 |
Диапазоны значений номинального сопротивления, Ом | Значение ТКСx10−6 °С-1, не более | ||||
от 20 до 155 °С | от минус 60 до 20 °С | Группа по ТКС | |||
От 100 до 1×107 вкл. | ±50 | ±200 | Л | ||
От 100 до 1,5×103 вкл. | ±100 | ±200 | М | ||
Св. 1,5×103 до 1,5×104 вкл. | ±100 | ±100 | М | ||
Св. 1,5×104 до 1×107 вкл. | ±100 | ±200 | М | ||
От 1 до 1×107 вкл. | ±250 | ±250 | Т | ||
От 1 до 1×107 вкл. | ±500 | ±500 | У |
Типоразмер | Номинальная мощность рассеяния Pном, Вт | Параметры импульсного режима |
0402 | 0,063 | Pимп = 3 Вт,? = 1 мсек, T=10 сек |
0603 | 0,1 | Pимп = 8 Вт,? = 1 мсек, T=10 сек |
0805 | 0,125 | Pимп = 12 Вт,? = 1 мсек, T=10 сек |
1206 | 0,25 | Pимп = 20 Вт,? = 1 мсек, T=10 сек |
1210 | 0,33 | Pимп = 40 Вт,? = 1 мсек, T=10 сек |
2010 | 0,5 | Pимп = 50 Вт,? = 1 мсек, T=10 сек |
2512 | 1,0 | Pимп = 100 Вт,? = 1 мсек, T=10 сек |