Новинки! Чип-резисторы Р1–8В-…(А) адаптированные к требованиям стандарта AEC-Q200

Новинки! Чип-резисторы Р1−8В-…(А) адаптированные к требованиям стандарта AEC-Q200 (требования к компонентам автомобильной электроники). Чип-резисторы Р1−8В-… (И, С) соответствуют нормам экологической директивы RoHS.
АО «НПО «ЭРКОН» представляет новую разработку — чип-резисторы Р1−8В-…(А, И, С), адаптированные к требованиям стандарта AEC-Q200 и экологическим нормам по ограничению содержания вредных веществ (директива RoHS или ее аналоги).
Особенностью резисторов является бессвинцовая технология изготовления, подтверждение испытаниями на воздействие изменения температуры среды (термошока) не менее 1000 циклов, влажной средой и другим видам воздействий по стандарту AEC-Q200. Дополнительной особенностью резисторов Р1−8 В с индексом «И» является стойкость к воздействию импульсов большой длительности, резисторов Р1−8 В с индексом «С» — стойкость к воздействию электростатического разряда.
Резисторы рекомендованы для применения в составе электронных устройств промышленного оборудования и автотранспортных средств с требованиями повышенной эксплуатационной надежности при высоком уровне импульсных помех и высокой вероятностью возникновения электростатических разрядов.
По вопросам приобретения представленной, а также разработки аналогичной продукции по требованию заказчика можно обратиться в группу развития бизнеса АО «НПО «ЭРКОН» по адресу электронных почт mozulyakinae@erkon-nn.com, gr@erkon-nn.com или телефону +7 831 202-25-52, доб. (261)

Электрические характеристики резисторов Р1−8В-… (А, С)

Типоразмер	Номинальная мощность рассеяния Pном, Вт	Диапазон значений номинального сопротивления, Ом	Допускаемое отклонение сопротивления от номинального значения, %		Предельное рабочее напряжение, В
			Р1−8В-…А	Р1−8В-…И, Р1−8В-…С
0402	0,063	От 1 до 1×107 вкл.	±2; ±5	±10; ±20	50
0603	0,1	От 1 до 1×107 вкл.	±2; ±5	±10; ±20	75
0805	0,125	От 1 до 1×107 вкл.	±2; ±5	±10; ±20	150
1206	0,25	От 1 до 1×107 вкл.	±2; ±5	±10; ±20	200
1210	0,33	От 1 до 1×107 вкл.	±2; ±5	±10; ±20	200
2010	0,5	От 1 до 1×107 вкл.	±2; ±5	±10; ±20	250
2512	1,0	От 1 до 1×107 вкл.	±2; ±5	±10; ±20	300

Характеристики импульсного режима резисторов Р1−8 В с индексом «И»

Типоразмер	Номинальная мощность рассеяния Pном, Вт	Параметры импульсного режима (не менее 1000 импульсов)
0402	0,063	Pимп = 3 Вт,? = 1 мс, T = 10 с
0603	0,1	Pимп = 8 Вт,? = 1 мс, T = 10 с
0805	0,125	Pимп = 12 Вт,? = 1 мс, T = 10 с
1206	0,25	Pимп = 20 Вт,? = 1 мс, T = 10 с
1210	0,33	Pимп = 40 Вт,? = 1 мс, T = 10 с
2010	0,5	Pимп = 50 Вт,? = 1 мс, T = 10 с
2512	1,0	Pимп = 100 Вт,? = 1 мс, T = 10 с